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“中国骄傲”落后美光8年 中国芯片厂终逃过制裁

京港台:2023-5-12 00:53| 来源:中时新闻网 | 评论( 7 )  | 我来说几句


“中国骄傲”落后美光8年 中国芯片厂终逃过制裁

来源:倍可亲(backchina.com)

  外媒披露,中国记忆体芯片巨头长鑫存储不受美国出口管制,已获美国芯片设备制造商确认,可取得最新生产线设备供应,接下来将在上海挂牌上市。中国业内人士透露,长鑫的技术落后美光8年,目前没有迎头赶上的迹象。

  英国金融时报引述知情人士报导,长鑫存储经历数个月的不确定性之后,该公司已被告知所需的芯片制造设备,不受美国出口管制禁令影响。

  长鑫存储是中国重量级DRAM记忆体芯片制造商,也是中国唯一能透过20奈米以下制程生产DRAM的业者。

  儘管无法得知长鑫存储向哪家美商採购设备,但美国半导体设备供应商科林研发(Lam Research)、科磊(KLA)近日表示,美国政府已核准今年扩大对中国的销售量。

  中国为反击美国科技制裁,今年4月宣布对美光在中国销售产品进行网络安全审查,但长鑫存储仍无法取代美光,一位匿名的中国半导体顾问表示,长鑫的技术落后美光约8年(四个世代),没有明确超前的迹象。

  消息人士指出,即使记忆体市况不佳,长鑫存储今年已设定极具野心的扩产目标,计划採购更多中国芯片制造设备,全年资本支出将加码50亿美元以上,而为了筹措资金,长鑫存储打算赴上海证交所科创板挂牌募资。

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