中国晶片研发技术突破至7奈米？专家不认同

中国晶片研发技术突破至7奈米？专家不认同

　　（中央社记者吴柏纬上海17日电）中国晶片研发技术突破的相关消息近期获得关注，传言称中国可生产8奈米及以下晶片，也有企业申请极紫外光（EUV）设备专利。有专家认为这样的说法有待商榷，且生产良率才是关键。

　　中国工信部近日公布重大技术装备推广应用指导目录，其中两台曝光机被外界解读为中国已取得重大技术突破，可生产8奈米及以下晶片的说法甚嚣尘上；另据德国之声报导，上海微电子向中国国家智慧财产权局申请了一系列EUV技术专利，可能意味着掌握了製造7奈米及以下晶片的关键能力。

　　同时，华为(专题)去年推出旗舰机Mate 60 Pro，据传搭载中芯国际自製的7奈米晶片，以及今年上半年传的沸沸扬扬，直指中芯国际在没有EUV曝光机情况下，成功自製5奈米晶片并投产，将搭载于年底发售的华为Mate 70系列，这些相关说法又再次被提及。

　　一时之间，中国研发技术突破美国封锁的讨论引起中国与国外市场关注，更有许多中国民众在社群平台上「大肆庆祝」。

　　虽然民间大肆宣扬，但是中国官方在此事上却显得相对低调。截至目前，除了工信部发布的目录外，尚无中国官方与厂商宣布这项消息，也未有实际的应用公开。

　　事实上，自美中科技战开打以来，中国过去一段时间曾多次提及「突破技术封锁」，然而实际状况却是「只闻楼梯响」。

　　以这次受到关注的上海微电子为例，根据公开资讯，最早曾在2020年6月初，宣布将在2021至2022年间交付第一台中国自製的28奈米浸润式曝光机，编号为SSA/800-10W，然而随后这项消息便不了了之。直到2023年5月，市场上又再传出，28奈米曝光机即将问世，同年12月，上海张江集团透过微信公众号称「上海微电子已成功研製出28奈米曝光机」，但不久后便将相关文字删除。

　　截至目前，上海微电子官方网站的产品介绍，仍未见SSA/800-10W。

　　根据中国半导体科技媒体「芯智讯」报导，从工信部日前发布的曝光机参数来看，虽然相比上微的SSA600曝光机有所提升，但是并未达到可以生产28奈米晶片的程度，更遑论製造8奈米、7奈米晶片的程度。

　　这篇报导指出，会传出这样的消息应是网友误会了参数所代表的含意。

　　另针对华为与中芯国际在晶片技术上取得突破技术封锁并拥有关键技术一事，英国广播公司（BBC）中文网报导引述半导体研究者、新加坡国立大学商学院和李光耀公共政策学院讲师卡布利（Alex Capri）指出，目前还没有决定性证据表示华为拥有这些关键技术的全本土供应链，可能是找到了有效规避出口管制的方法，继续获得关键的外国技术。

　　彭博：中芯用美商设备製7奈米晶片 中国半导体仍依赖外国技术

　　他说，「华为自给自足的叙述，相当程度上宣传了美国出口管制的失败，这给中国技术官僚提供了巨大的内外宣价值」，因此在这样的情形之下，华为不能公开手机晶片及各种技术参数。

　　另据路透社去年9月在Mate 60 Pro发售后的一篇报导指出，中芯国际7奈米製程的良率低于50%，而业界标准为90%或更高，这个情况将大幅限制晶片的出货量并影响到手机产量。