下载APP | 繁體版 | 发布广告 |常用工具

中国声称突破“EUV关键技术”

京港台:2025-1-19 04:13| 来源:自由时报 | 评论( 34 )  | 我来说几句


中国声称突破“EUV关键技术”

来源:倍可亲(backchina.com)

  目前先进制程使用的是极紫外光微影(EUV)技术,荷兰的艾司摩尔(ASML)是行业巨擘,市场由ASML掌握,EUV曝光机更是先进制程必备神器。

  不过中国的哈尔滨工业大学(哈工大)近期宣布,成功研发出可提供13.5纳米极紫外光的技术,中国媒体认为,这部份解决了中国国产EUV曝光机制造中的光源问题,对于中国EUV光刻机曝光机的制造技术推进意义重大。

  综合中国媒体报道,哈工大2024年年底发布新闻,指出该校航天学院赵永蓬教授的“放电等离子体极紫外光刻光源”,在黑龙江省高校与科研院所职工科技创新成果转化大赛中,获得一等奖。 而该计划介绍中提到,这项技术可提供中心波长为13.5纳米的极紫外光。

  报道更称,哈工大这次突破的是光源技术波长是13.5纳米,采用粒子加速辐射取得EUV光源,与ASML采用美国光源技术,还需要德国莱卡的透镜技术,才能取得EUV不同,认为哈工大的技术就是一种技术创新突破。

  不过报道也称,若要生产EUV曝光机,不仅需要先进的极紫外光源技术,还需要物镜系统、双晶圆平台和控制系统等关键技术。 而这4大技术组成了高端EUV曝光机的护城河,非常难超越和颠覆。

推荐:美国打折网(21usDeal.com)    >>

        更多科技前沿 文章    >>

【郑重声明】倍可亲刊载此文不代表同意其说法或描述,仅为提供更多信息,也不构成任何投资或其他建议。转载需经倍可亲同意并注明出处。本网站有部分文章是由网友自由上传,对于此类文章本站仅提供交流平台,不为其版权负责;部分内容经社区和论坛转载,原作者未知,如果您发现本网站上有侵犯您的知识产权的文章,请及时与我们联络,我们会及时删除或更新作者。

关于本站 | 隐私政策 | 免责条款 | 版权声明 | 联络我们 | 刊登广告 | 转手机版 | APP下载

Copyright © 2001-2025 海外华人中文门户:倍可亲 (http://www.backchina.com) All Rights Reserved.

程序系统基于 Discuz! X3.1 商业版 优化 Discuz! © 2001-2013 Comsenz Inc. 更新:GMT+8, 2025-2-18 10:41

倍可亲服务器位于美国圣何塞、西雅图和达拉斯顶级数据中心,为更好服务全球网友特统一使用京港台时间

返回顶部