坂本幸雄:中芯国际最佳制程 是台湾8年前的技术
来源:倍可亲(backchina.com) 专题:台湾相关报道全汇总!
宣告破产的中国紫光集团前高级副总裁坂本幸雄,近日接受日经新闻访问表示,中国半导体产业的实力不管在研发、生产和产品良率方面落后台湾(专题)、南韩和美国一大截。 (图取自清华紫光网站)
宣告破产的中国紫光集团前高级副总裁、前日本(专题)尔必达社长坂本幸雄,近日接受日经新闻访问表示,中国半导体产业的实力不管在研发、生产和产品良率方面落后台湾、南韩和美国一大截。
坂本指出,中国佔世界半导体生产的比重为15%,但其中英特尔等外资企业佔60%,中国企业的比重仅40%,中国半导体产业当前的要务是研发,但肩负中国半导体产业发展者主要是出自台湾,多为成品良率改善等工序管理方面的人才,在从零开始创造价值的研发方面缺乏经验。
坂本说,中国半导体实力与世界顶尖水平的差距很大,在DRAM领域处于中国顶尖水平的长鑫存储,与三星电子相比落后4代左右;而在NAND快闪记忆体领域,中国据称顶尖的长江存储在去年8月启动128层3D NAND的量产,虽已启动192层的试产,但生产的数量过少,达不到讨论竞争力的水平。
坂本表示,在运算用逻辑晶片领域,即使是中国顶尖的中芯国际,最好的产品也只是14奈米,这已是7、8年前的技术,而台积电正在开发2奈米的产品,中芯国际以工序管理的工程师为中心,或许难以推进新技术的开发,加上美国的制裁,更难以引进尖端的半导体生产设备,无法跨入价值巨大的处理器领域,经营资源完全被用在增加14奈米以上的产能,如果缺乏在3、4年后追上台积电的雄心,差距会不断扩大。
而根据南韩BusinessKorea报导,韩国进出口银行旗下海外经济研究院(OERI)预估,中国业者在DRAM和NAND快闪记忆体方面与南韩业者的技术落差分别达5年和2年。
中国半导体业的产品良率也很低。OERI分析指出,长鑫存储2019年开始量产第一代10奈米DRAM,但2年多过去,良率仍只有75%;第二代DRAM的良率更只有40%。