三星电子前员工因向中国泄露半导体技术一审判7年

三星电子前员工因向中国泄露半导体技术一审判7年

　　涉嫌向中国企业泄露核心半导体技术而受审的三星电子及合作公司前职员，在一审中被判处重刑。首尔中央地方法院周三因违反韩国《产业技术保护法》等罪名被起诉的三星电子前部长金某判处有期徒刑7年、罚款2亿韩元，对合作厂商A公司员工方某判处有期徒刑2年6个月。

　　据韩联社报导，院方表示，“这是严重犯罪行为，不仅严重阻碍良性竞争，使受害企业浪费大量时间和金钱，而且实际上可能对韩国民族产业的竞争力产生重大负面影响”。院方还表示，“受害企业的损失不会小，特别是对三星电子的损失可以预计会达到巨大数额”。

　　金某被指控未经许可将三星电子的18纳米级DRAM核心技术非法转让给中国长鑫存储，用于产品开发。韩国国家情报院此前已发现其技术泄露的情况，并于2023年5月向韩国检方请求调查。

　　检方认为，金某等人2016年跳槽到长鑫存储时不仅转让了半导体“沉积技术”相关资料，还泄露了其他7个关键工序的技术数据，并以此收受数百亿韩元的财物。

　　调查发现，金某还以税后至少5亿韩元的报酬从三星电子及其关联公司挖走了约20名技术人员。方某被指控与金某合谋将半导体设备供应商A公司的设计技术数据传输给长鑫存储。