中国完成新光刻胶技术验证 为开发技术储备
来源：倍可亲(backchina.com)据湖北九峰山实验室在官方微信公众号发布消息称，近日九峰山实验室与华中科技大学组成联合研究团队，支持华中科技大学团队突破“双非离子型光酸协同增强回应的化学放大光刻胶”技术，可望为光刻制造的共性难题提供明确的方向，同时为EUV光刻胶的着力开发做技术储备。
据《芯智讯》报导，作为半导体制造不可或缺的材料，光刻胶品质和性能是影响积体电路电性、成品率及可靠性的关键因素。但光刻胶技术门槛高，市场上制程稳定性高、工艺宽容度大、普适性强的光刻胶产品屈指可数。
相关研究成果已于2024年2月15日在国际顶级刊物《化学工程》上发表。（图／芯智讯）
报导说，当半导体制造技术节点进入到100nm甚至是10nm以下，如何产生分辨率高且截面形貌优良、线边缘粗糙度低的光刻图形，成为光刻制造的共同难题。
据湖北九峰山实验室在官方微信公众号发布消息称，近日九峰山实验室与华中科技大学组成联合研究团队，支持华中科技大学团队突破“双非离子型光酸协同增强回应的化学放大光刻胶”技术，可望为光刻制造的共性难题提供明确的方向，同时为EUV光刻胶的着力开发做技术储备。
据《芯智讯》报导，作为半导体制造不可或缺的材料，光刻胶品质和性能是影响积体电路电性、成品率及可靠性的关键因素。但光刻胶技术门槛高，市场上制程稳定性高、工艺宽容度大、普适性强的光刻胶产品屈指可数。
报导说，当半导体制造技术节点进入到100nm甚至是10nm以下，如何产生分辨率高且截面形貌优良、线边缘粗糙度低的光刻图形，成为光刻制造的共同难题。
据介绍，华中科技大学团队通过巧妙的化学结构设计，以2种光敏单元构建“双非离子型光酸协同增强回应的化学放大光刻胶”，最终得到光刻图像形貌与线边缘粗糙度优良、space图桉宽度值正态分布标准差（SD）极小（约为0.05）、性能优于大多数商用光刻胶。且光刻显影各步骤所需时间完全符合半导体量产制造中对输送量和生产效率的需求。
该研究成果有望为光刻制造的共性难题提供明确的方向，同时为EUV光刻胶的着力开发做技术储备。
相关研究成果已于2024年2月15日在国际顶级刊物《化学工程》（Chemical Engineering Journal, IF=15.1）发表。该专桉由中国国家自然科学基金、973计划共同资助，主要作者为华中科技大学光电国家研究中心朱明强教授，湖北九峰山实验室工艺中心柳俊教授和向诗力博士。
